特許

J-GLOBAL ID：200903037464872287

金属積層配線を有する半導体装置およびその製造方法

発明者： 大見 和幸
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-118139
公開番号（公開出願番号）：特開2000-311885
出願日： 1999年04月26日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】 配線抵抗のばらつきを防ぎ、歩留りの向上を図ることができるように改良された、金属積層配線を有する半導体装置の製造方法を提供することを主要な目的とする。【解決手段】 レジストマスク7を用いて、Wを含む上層金属膜5をドライエッチングし、それによって、上層金属膜5を配線形状に加工するとともに、Tiを含む下層金属膜4の表面の一部を露出させる。レジストマスク7を、Fを含むガスを添加したO2アッシングガスのプラズマを用いて、アッシング除去する。下層金属膜4を配線形状にパターニングする。

請求項（抜粋）：

Tiを含む下層金属膜および、その上に形成されたWを含む上層金属膜が設けられた基板を準備する工程と、前記上層金属膜の上に、配線形状のパターンを有するレジストマスクを形成する工程と、前記レジストマスクを用いて、前記上層金属膜をドライエッチングし、それによって、前記上層金属膜を配線形状に加工するとともに、前記下層金属膜の表面の一部を露出させる工程と、前記レジストマスクを、Fを含むガスを添加したO2アッシングガスのプラズマを用いて、アッシング除去する工程と、前記下層金属膜を、配線形状にパターニングする工程と、を備えた、金属積層配線を有する半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3213

FI (4件)：

H01L 21/302 H ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/88 D

Fターム (46件)：

4M104BB01 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104DD65 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104FF16 ,  4M104HH20 ,  5F004AA13 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB14 ,  5F004BD01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DA30 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F004DB10 ,  5F004DB26 ,  5F004EA07 ,  5F004EA13 ,  5F004EA28 ,  5F004EB02 ,  5F033HH04 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ19 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033XX00 ,  5F033XX21