特許

J-GLOBAL ID：200903037466593555

圧電体膜及びこれを備えた圧電体素子

発明者： 角 浩二
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 稲葉 良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-315685
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124712
出願日： 2000年10月16日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】 粒径が大きく、圧電特性に優れた圧電体膜及びこれを用いた圧電体素子を提供する。また、圧電体膜全体の誘電率を下げることにより、圧電体素子全体の容量を小さくし、矩形波で駆動する際に好適な圧電体素子を提供する。【解決手段】 バリウム及びチタンを少なくとも含む複合酸化物の多結晶体で構成される圧電体膜において、前記多結晶体は柱状結晶粒で構成される。前記圧電体膜の少なくとも下層側は、バリウム/チタンのモル比が1未満であり、上層側は、バリウム/チタンのモル比が1以上1.2以下であることが好ましい。この圧電体膜はゾルゲル法で生成され、その際に使用されるゾルは、圧電体膜を構成する金属酸化物と、カーボンとを含有することが好ましい。

請求項（抜粋）：

バリウム及びチタンを少なくとも含む複合酸化物の多結晶体で構成される圧電体膜において、前記多結晶体は柱状結晶粒で構成されることを特徴とする圧電体膜。

IPC (8件)：

H01L 41/09 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  B41J 2/16 ,  C01G 23/00 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/22 ,  H02N 2/00

FI (8件)：

C01G 23/00 C ,  H02N 2/00 B ,  H01L 41/08 C ,  B41J 3/04 103 A ,  B41J 3/04 103 H ,  H01L 41/08 U ,  H01L 41/18 101 B ,  H01L 41/22 Z

Fターム (19件)：

2C057AF93 ,  2C057AG16 ,  2C057AG44 ,  2C057AG52 ,  2C057AG55 ,  2C057AP02 ,  2C057AP14 ,  2C057AP32 ,  2C057AP52 ,  2C057AP54 ,  2C057AP56 ,  2C057AP57 ,  2C057AQ02 ,  2C057BA03 ,  2C057BA14 ,  4G047CA07 ,  4G047CB05 ,  4G047CC02 ,  4G047CD02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 機能性薄膜、圧電体素子、インクジェット式記録ヘッド、プリンタ、圧電体素子の製造方法およびインクジェット式記録ヘッドの製造方法、
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-163867   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 誘電体キャパシタ及び誘電体メモリ装置と、これらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-352889   出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-148046   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド