特許
J-GLOBAL ID：200903037472271969

ポリアセン化合物及びその合成方法

発明者：
成田 吉徳

成田 吉徳 について

, 
焼山 正敏

焼山 正敏 について

, 
長田 一人

長田 一人 について

, 
夏目 穣

夏目 穣 について


出願人/特許権者：
旭化成株式会社

旭化成株式会社 について


代理人 (3件)： 森 哲也 ,  内藤 嘉昭 ,  崔 秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-029701
公開番号（公開出願番号）：特開2004-256532
出願日： 2004年02月05日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：
【課題】 高い移動度を発現し且つ溶媒に対する溶解性に優れる有機半導体材料及びその合成方法を提供する。また、高い移動度を有する有機半導体薄膜、及び、電子特性の優れた有機半導体素子を提供する。【解決手段】 ソース・ドレイン電極として金電極のパターンを形成したシリコン基板上に、真空蒸着法により膜厚80nmの2,3,9,10-テトラメチルペンタセンの薄膜を形成し、トランジスタ構造とした。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
下記の化学式(I)で表されるような構造を有することを特徴とするポリアセン化合物。
IPC (5件)：
C07C15/20 ,  C07C1/22 ,  C07C50/22 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00
FI (5件)：
C07C15/20 ,  C07C1/22 ,  C07C50/22 ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 618B
Fターム (36件)：
4H006AA01 ,  4H006AA02 ,  4H006AB91 ,  4H006AC12 ,  4H006AC28 ,  4H006BD80 ,  5F110AA01 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110BB09 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC09 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ06
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 特許第4219807号
  • 置換ペンタセン半導体
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-531543   出願人：スリーエムイノベイティブプロパティズカンパニー
  • 特開平2-025488
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審査官引用 (5件)
  • 特許第4219807号
  • 置換ペンタセン半導体
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-531543   出願人：スリーエムイノベイティブプロパティズカンパニー
  • 特開平2-025488
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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