特許
J-GLOBAL ID:200903037472370495

半導体式圧力センサ及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-130200
公開番号(公開出願番号):特開平10-321874
出願日: 1997年05月21日
公開日(公表日): 1998年12月04日
要約:
【要約】【課題】 回路基板とセンサ素子との電気的接続のためのワイヤボンディングを廃止するとともに、小型化可能な半導体式圧力センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 センサ素子2はガラス台座4上に配設され、前記媒体の圧力を検出するダイアフラム1を形成する。圧力導入孔13はガラス台座4のダイアフラム1に対向する対向面に形成される。回路基板7は圧力導入孔13に対向する圧力導入部15(貫通孔)を形成するとともに、所定の配線パターン及び接続ランド14が形成される。電極部12はセンサ素子2の入出力を回路基板7に接続するためにセンサ素子2に形成される。電極部12と接続ランド14とを半田により接続する。
請求項(抜粋):
気体,液体等の媒体の圧力を検出する半導体式圧力センサにおいて、ガラス台座と、前記ガラス台座上に配設され、前記媒体の圧力を検出するためのダイアフラムを形成するセンサ素子と、所定箇所に配線パターン及び接続ランドが形成される回路基板と、前記センサ素子の入出力を前記回路基板に接続するため、前記センサ素子に形成される電極部とを備え、前記電極部と前記接続ランドとを半田により接続してなることを特徴とする半導体式圧力センサ。
IPC (2件):
H01L 29/84 ,  G01L 9/04 101
FI (2件):
H01L 29/84 B ,  G01L 9/04 101

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