特許

J-GLOBAL ID：200903037473764080

半導体製造装置

発明者： 嶋 洋之 ,  澤井 久晴 ,  藤原 伸夫
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 児玉 俊英
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-339097
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156047
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】 反応室の壁面の冷却を効率よく、かつ、簡便な装置にて行うことができ、冷却後の加熱工程に時間を要せず行うことができる半導体製造装置を得ることを目的とする。【解決手段】 ウエハ16に処理を行うチャンバ13と、チャンバ13の2重構造壁面13a内に液体冷媒を供給するノズル19とを備え、液体冷媒として処理時の2重構造壁面13aの温度により加熱され気化される特性を有するものを使用し、気化熱によりチャンバ1の2重構造壁面13aを冷却する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に処理を行う反応室と、上記反応室の被冷却体に液体冷媒を供給する液体冷媒供給手段とを備え、上記液体冷媒としては、処理によって加熱された上記被冷却体の温度により加熱され気化される特性を有するものを使用し、当該気化熱により上記被冷却体を冷却することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B

Fターム (14件)：

5F004AA15 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BC08 ,  5F045AA08 ,  5F045BB14 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB06 ,  5F045EC02 ,  5F045EH14 ,  5F045EJ04