特許

J-GLOBAL ID：200903037474269511

スルホニウム塩及び化学増幅型ポジ型レジスト材料

発明者： 大澤 洋一 ,  渡辺 聡 ,  島田 順次 ,  竹村 勝也 ,  名倉 茂広 ,  石原 俊信
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-155141
公開番号（公開出願番号）：特開平8-325259
出願日： 1995年05月30日
公開日（公表日）： 1996年12月10日
要約：

【要約】【目的】 微細加工技術に適した高解像度を有し、化学増幅型ポジ型レジスト材料の成分として好適な成分及びこれを配合した化学増幅型ポジ型レジスト材料を開発する。【構成】 下記一般式(1)で示され、分子中に少なくとも1つの環状アセタール、ヘミアセタール又はケタール保護されたジオキシフェニル基を有することを特徴とするスルホニウム塩。【化1】(但し、式中R1は水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はジアルキルアミノ基であり、R2、R3はそれぞれ水素原子又はアルキル基であり、互いに同一であっても異なっていてもよく、また、R2、R3の一部が結合して環化していてもよい。Yは置換又は非置換のアルキル又はアリールスルホネートを示す。nは0〜2の整数、mは1〜3の整数で、かつnとmの和は3である。)上記式(1)のスルホニウム塩を酸発生剤として配合した化学増幅型ポジ型レジスト材料。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示され、分子中に少なくとも1つの環状アセタール、ヘミアセタール又はケタール保護されたジオキシフェニル基を有することを特徴とするスルホニウム塩。【化1】(但し、式中R1は水素原子、アルキル基、アルコキシ基又はジアルキルアミノ基であり、R2、R3はそれぞれ水素原子又はアルキル基であり、互いに同一であっても異なっていてもよく、また、R2、R3の一部が結合して環化していてもよい。Yは置換又は非置換のアルキル又はアリールスルホネートを示す。nは0〜2の整数、mは1〜3の整数で、かつnとmの和は3である。)

IPC (4件)：

C07D317/46 ,  C07D317/62 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

C07D317/46 ,  C07D317/62 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/30 502 R