特許

J-GLOBAL ID：200903037474296284

高周波電力増幅モジュールおよび無線通信装置

発明者： 草野 忠四郎 ,  長谷 英一 ,  小野 秀行 ,  加賀谷 修 ,  梅本 康成 ,  藤田 孝博 ,  山下 喜市
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1999004819
公開番号（公開出願番号）：WO2001-018865
出願日： 1999年09月06日
公開日（公表日）： 2001年03月15日
要約：

【要約】複数のヘテロ接合バイポーラトランジスタ(npn型HBT)を従属接続した高周波電力増幅モジュールにおいて、各HBTのコレクタ・エミッタ間にpn接合ダイオードを複数個直列接続した保護回路を、コレクタ側にp側を、エミッタ側にn側をそれぞれ接続するとともに、ベース・エミッタ間にpn接合ダイオードを複数個直列に接続した保護回路をベース側にp側を、エミッタ側にn側をそれぞれ接続する構成になっている。これにより、アンテナ側の負荷変動やモジュールの組立時に、コレクタ・エミッタ間やベース・エミッタ間に過大な電圧が印加された場合において、保護回路のクランプ効果によってHBTの破壊が防止できる。

請求項（抜粋）：

入力端子と、 出力端子と、 第1電圧端子と、 第2電圧端子と、 バイアス供給端子と、 上記入力端子と上記バイアス供給端子とに接続された制御端子と、上記第1電圧端子に接続された第1端子と、上記第2電圧端子に接続された第2端子とを有し、上記入力端子に供給される信号に応じた信号を上記第1端子から上記出力端子へ供給する第1の半導体増幅素子と、 上記第1の半導体増幅素子に内在の寄生素子とは異なる素子であって、上記第1端子に接続され、上記第1端子における電圧に従って順方向の整流特性を示す第1の保護回路を有することを特徴とする高周波電力増幅モジュール。

IPC (5件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/06 ,  H03F 1/52 ,  H04B 1/40

FI (4件)：

H01L 27/04 Z ,  H03F 1/52 Z ,  H04B 1/40 ,  H01L 27/06 Z