ZnO系酸化物半導体層を有する半導体装置およびその製法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：河村洌 , 河村洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-278041
公開番号（公開出願番号）：特開2002-094114
出願日： 2000年09月13日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】安定した高いキャリア濃度のp形ZnO系酸化物半導体層を有する半導体装置およびその製法を提供する。【解決手段】たとえばLEDであれば、基板11上に、ZnO系酸化物半導体からなり発光部を形成すべく少なくともn形層14およびp形層16を含む発光層形成部10が積層されている。このp形層16がドーパントとしてリンを含有している。このようなリンをドーピングするには、たとえばZnO系酸化物半導体を成長する際に、Zn3P2などのZnとPの結合を有する材料を用いて行う。

請求項（抜粋）：

基板上に、少なくともp形ZnO系酸化物半導体層を有する半導体装置であって、前記p形層がドーパントとしてリン(P)を含有するZnO系酸化物半導体層を有する半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01L 41/24 , H01S 5/347

FI (4件)：

H01L 33/00 D , H01L 21/205 , H01S 5/347 , H01L 41/22 A

Fターム (23件)：

5F041CA41 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA66 , 5F045AA05 , 5F045AB22 , 5F045AB23 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AF09 , 5F045BB16 , 5F045CA10 , 5F045CA15 , 5F045DA57 , 5F045EE06 , 5F045EH18 , 5F073AA11 , 5F073AA74 , 5F073BA05 , 5F073CA22 , 5F073CB19 , 5F073DA06

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-034534
特開平3-034534
特開平4-363086

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