半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-041617
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260441
出願日： 1993年03月03日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【目的】高融点金属を埋設したビアホールを有する半導体装置において、配線間の短絡やビアホールでの断線を防止する。【構成】ビアホール内のみにタングステン3を選択成長させる。その際、タングステン3の表面は酸化シリコン膜2の表面より浅くする。その後チタニウム膜4と窒化チタニウム膜5をスパッタリング法にて形成し、シリコン基板1を400〜550°Cの高温に加熱してアルミニウム合金膜6をスパッタリングにより形成する。タングステン3の膜厚がビアホールの深さよりも薄いためタングステン3により配線間が短絡することはない。さらにビアホールのタングステン3により埋設されずに残っている部分はアルミニウム合金膜6で完全に埋設されるため、ビアホールでの断線もない。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の層間絶縁膜に設けた半導体素子又は下層配線層に達する開口部に高融点金属膜を埋設する際に、前記高融点金属膜の上表面を前記層間絶縁膜の表面よりも浅く形成する工程と、アルミニウム合金膜をスパッタ法にて形成する際、前記半導体基板を高温に加熱し、前記アルミニウム合金を流動させて前記開口部を完全に埋め込む工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 21/203

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-035753
特開昭60-119750
特開平4-130650

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