特許
J-GLOBAL ID：200903037481454758
化合物半導体装置における電極配線の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-101007
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299638
出願日： 1992年04月21日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 絶縁膜と電極配線金属との密着性を向上し、耐湿性に優れた化合物半導体装置における電極配線の形成方法を提供する。【構成】 GaAs基板1上に絶縁膜2を形成し、絶縁膜2上に第1の金属膜3を積層形成し、その上に第2の金属膜を形成し、第2金属膜をマスクにして絶縁膜2と第1の金属膜3を選択的に除去し、選択的に除去された部分に、一部が絶縁膜2と重なる第2の金属膜からなる電極6を選択的に形成し、電極6をマスクにして、第1の金属膜3を選択的に除去し、絶縁膜2上及び基板1上に第1の金属膜3と電極6からなる最終電極7を形成する。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜上に第1の金属膜を積層形成し、前記第1の金属膜上に第2の金属膜を選択的に形成し、前記第2の金属膜をマスクにして、前記第1の金属膜を選択的に除去し、前記絶縁膜上に前記第1の金属膜と第2の金属膜からなる電極配線を形成することを特徴とする化合物半導体装置における電極配線の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 29/48
, H01L 21/338
, H01L 29/812
