特許

J-GLOBAL ID：200903037484895151

荷電ビーム露光の吸収エネルギー分布の計算方法、シミュレータ、荷電ビーム露光方法、半導体装置及びマスクの製造方法、荷電ビーム露光の吸収エネルギー分布を計算するプログラムを記録した記録媒体

発明者： 中杉 哲郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-254307
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075818
出願日： 2000年08月24日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 荷電ビーム露光における高精度なプロセス予測を実現する荷電ビームの吸収エネルギー分布の計算方法を提供する。【解決手段】 照射基板を構成する複数の物質と荷電ビームの照射条件を入力し、この物質の中から第1の物質を指定する。第1の物質のみが存在する場合についてモンテカルロ計算を行い、第1の物質内の第1のエネルギー分布を求める。この分布を関数近似すると第1の散乱パラメータを精度良く計算できる。また、照射基板についてモンテカルロ計算を行い、第1の物質内の第2のエネルギー分布を求める。第2の分布から第1の分布を減算して第3のエネルギー分布を求め関数近似しても第2の散乱パラメータを精度良く計算できる。

請求項（抜粋）：

照射基板を構成する複数の物質と荷電ビームの照射条件を入力する工程と、前記物質の中から第1の物質を指定する工程と、前記物質と前記照射条件に基づいて第1のパラメータファイルを生成する工程と、前記第1のパラメータファイルに基づき前記第1の物質のみが存在する場合についてモンテカルロ計算を行い、前記第1の物質内の第1のエネルギー分布を求める工程と、前記第1の分布を関数近似して、第1の散乱パラメータを抽出する工程とを含むことを特徴とする荷電ビーム露光の吸収エネルギー分布の計算方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504

FI (3件)：

G03F 7/20 504 ,  H01L 21/30 541 Z ,  H01L 21/30 541 M

Fターム (10件)：

2H097AA03 ,  2H097BB10 ,  2H097CA16 ,  2H097LA10 ,  5F056BA02 ,  5F056BA05 ,  5F056CB03 ,  5F056CC12 ,  5F056CC13 ,  5F056CD03