特許

J-GLOBAL ID：200903037487090987

真空装置用治具の形成方法

発明者： 芝崎 誠男
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-019038
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222767
出願日： 2001年01月26日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：

【要約】【課題】真空チャンバー内のパーティクルを抑え、かつ真空度を劣化させない高信頼性の真空装置用治具の形成方法を提供する。【解決手段】(a)に示すように、母材11表面をブラスト処理することにより、母材11表面を粗面にしておく。次に、(b)に示すように、母材11のブラスト処理面に例えばAlを主成分とする溶射部材12を溶射する。次に、(c)に示すように、溶射部材12表面に原子層レベルの極薄い酸化膜13を被覆し、これを最表面とする。この酸化膜13は、15〜23個程度の原子の積層によって構成された層であり、O2 ガス、またはO3 ガスプラズマ、大気圧プラズマ、あるいはCVD(Chemical Vapor Deposition)等にて形成する。酸化膜13に代えて窒化膜を被覆するようにしてもよい。

請求項（抜粋）：

成膜処理を行う真空チャンバー内部での堆積物防着用として真空チャンバー内に配備される治具に関し、母材をブラスト処理してから溶射部材を溶射し、さらにこの溶射部材表面に原子層レベルの極薄い酸化膜または窒化膜を被覆し最表面とすることを特徴とする真空装置用治具の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/203 S ,  C23C 14/00 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 A

Fターム (9件)：

4K029CA05 ,  4K029DA10 ,  4K029FA09 ,  5F045BB14 ,  5F045BB15 ,  5F045EB03 ,  5F103BB31 ,  5F103BB46 ,  5F103RR10