特許

J-GLOBAL ID：200903037488102407

半導体装置の製造方法

発明者： 本多 由明 ,  徳田 潤
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-295414
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153691
出願日： 1994年11月29日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 シリコン集積回路を劣化させずに、シリコン集積回路と化合物半導体素子をモノリシック集積する。【構成】 シリコン集積回路10を形成したシリコン基板9上に、絶縁膜11を形成し、化合物半導体素子を形成する箇所の上方の絶縁膜11を局所的に除去してシリコン表面13を露出させ、そのシリコン表面13に、集光したレーザ光または電子線を照射して加熱して、シリコン表面13の酸化膜を除去する。【効果】 シリコン集積回路10に熱的悪影響を与えずに、シリコン表面13の酸化膜を除去できると共に、化合物半導体の選択結晶成長時の温度を低減できる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に、シリコン集積回路及び化合物半導体素子を形成する半導体装置の製造方法において、前記シリコン基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記化合物半導体素子を形成する箇所の上方の前記絶縁膜を局所的に除去してシリコン表面を露出させる工程と、露出した前記シリコン表面に、集光したレーザ光または電子線を照射して加熱して、前記シリコン表面の酸化膜を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/324