特許

J-GLOBAL ID：200903037492395982

半導体集積回路装置の形成方法

発明者： 西原 晋治 ,  佐原 政司 ,  児島 雅之 ,  谷垣 幸男 ,  春田 亮 ,  河渕 靖
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-329104
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177200
出願日： 1992年12月09日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】 積層配線10と同一構造で形成されるボンディングパッドがパッシベーション膜11のボンディング開口11Hから露出する半導体集積回路装置において、前記ボンディングパッドの表面のボンダビリティを向上しかつボンディングパッドの表面の反射率を向上する。【構成】 前記半導体集積回路装置において、前記積層配線10及びボンディングパッドのアルミニウム合金膜10Bとキャップメタル膜(TiW膜,W膜,TiN膜)10Cとの間に酸化物層10Dを形成し、ボンディング開口11H形成後にボンディングパッドのキャップメタル膜10C、酸化物層10Dの夫々を順次除去する。

請求項（抜粋）：

積層配線を有する半導体集積回路装置の形成方法において、下記の工程(1)乃至工程(4)の夫々の工程を順次備えたことを特徴とする。(1)基板上にアルミニウム膜又はアルミニウム合金膜で形成される積層配線の下層を堆積し、前記下層の表面上に下層の酸化物層を形成した後に、前記酸化物層の表面上に2種類の高融点金属で形成される合金膜又は高融点金属膜又は高融点金属窒化膜で形成された積層配線の上層を堆積する工程、(2)前記積層配線の上層、酸化物層、下層の夫々を順次パターンニングし、積層配線及びこの積層配線に結線されかつ同一の断面構造を有するボンディングパッドを形成する工程、(3)前記積層配線上及びボンディングパッド上を含む基板全面にパッシベーション膜を堆積する工程、(4)前記パッシベーション膜の前記ボンディングパッド上にボンディング開口を形成するとともに、前記ボンディングパッドのボンディング開口から露出する上層、酸化物層の夫々を順次除去し、このボンディングパッドの下層の表面を露出する工程。

IPC (2件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 T