強磁性トンネル接合磁気抵抗効果素子の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：穂上照忠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-248363
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077744
出願日： 1998年09月02日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】強磁性トンネル接合による磁気抵抗効果素子において、安定して高い磁気抵抗効果を実現させ得る素子を製造する方法の提供。【解決手段】絶縁体層をアルミナのスパッタにより成膜し、その厚さを1〜2nmとする強磁性トンネル接合磁気抵抗効果素子の製造法。

請求項（抜粋）：

第一の強磁性体層、絶縁体層、および第二の強磁性体層からなる絶縁体層接合部のトンネル効果を利用する磁気抵抗効果素子の製造方法であって、絶縁体層をアルミナのスパッタにより成膜し、その厚さを1〜2nmとすることを特徴とする強磁性トンネル接合磁気抵抗効果素子の製造法。

IPC (3件)：

H01L 43/12 , G11B 5/39 , H01F 41/18

FI (3件)：

H01L 43/12 , G11B 5/39 , H01F 41/18

Fターム (11件)：

5D034BA03 , 5D034BA15 , 5D034DA07 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AC00 , 5E049AC05 , 5E049BA12 , 5E049BA16 , 5E049GC01

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