特許
J-GLOBAL ID：200903037495232553
半導体チップ用ダイボンディング樹脂及びそれを用いた半導体装置。
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
煤孫 耕郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-173707
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014859
出願日： 1993年06月21日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、基板のコストを抑え、かつ小型化を実現するためになされたものである。【構成】 絶縁粒子の径を、50〜100μにコントロールし、それを少なくとも5wt%含有させたダイボンディング樹脂4を用いることにより、基板2上の半導体チップ1搭載部に、絶縁層なしで配線導体3を設けることができるよにした。これにより、半導体チップ搭載部が有効活用でき、かつ絶縁層不要のため基板コストが低減できる。
請求項（抜粋）：
50〜100μサイズの金属酸化物、金属窒化物、ガラス等の無機絶縁物の1種あるいは2種以上を少なくとも5wt%絶縁粒子として含有したことを特徴とする半導体チップ用ダイボンディング樹脂。
IPC (4件)：
H01L 21/52
, C08K 3/00 KAA
, C08K 3/22 KAE
, C08L101/00
