特許

J-GLOBAL ID：200903037495805138

耐電圧降伏性単結晶炭化ケイ素半導体デバイス及びその製造方法

発明者： バリガ,バントヴァル・ジェヤン ,  アロク,デヴ
出願人/特許権者： ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ
代理人 (1件)： 奥山 尚男 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-529035
公開番号（公開出願番号）：特表平10-501097
出願日： 1995年05月02日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】耐降伏性単結晶炭化ケイ素半導体デバイスが、単結晶炭化ケイ素基板の中に、炭化ケイ素デバイスに隣接し炭化ケイ素デバイスを取囲む単結晶炭化ケイ素基板の面の個所で無定形炭化ケイ素終端領域を形成することにより得られる。無定形終端領域は有利には、例えばアルゴン等の電気的に不活性のイオンを基板面の中に、基板面を無定形化するのに充分なエネルギー及び調量で注入することにより形成される。電子素子としての1つ又は複数のデバイスコンタクトは、それ自体がデバイスに終端領域を形成するためのマスクとして機能する。終端されているデバイスは、炭化ケイ素の理想値に近い耐電圧降伏性を示す。

請求項（抜粋）：

単結晶炭化ケイ素基板の面に形成されているコンタクト領域と、前記単結晶炭化ケイ素基板の中に、前記コンタクト領域に隣接し前記コンタクト領域を取囲む前記面の個所で形成されている無定形炭化ケイ素領域とを具備することを特徴とする炭化ケイ素半導体デバイスのための耐降伏性コンタクト。

IPC (5件)：

H01L 29/872 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/861

FI (6件)：

H01L 29/48 D ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/91 F ,  H01L 29/91 D ,  H01L 29/91 B ,  H01L 21/265 Q

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平1-098268