特許

J-GLOBAL ID：200903037498142709

化合物半導体のオーム性電極及びその形成方法

発明者： 山田 恭介 ,  鈴木 金吾 ,  小原 正義 ,  池田 均
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-320448
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176790
出願日： 1993年12月20日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：

【要約】【目的】 ?@Au-Si電極の場合より低温熱処理でオーム性接触が得られ、?A接触抵抗が低く、かつそのバラツキも小さく、?Bノンシアン系エッチャントでも容易に電極パターン加工ができるn型III-V族化合物半導体用のAu-Si系オーム性電極材料を提供する。【構成】 金(Au)、シリコン(Si)及びニッケル(Ni)よりなる合金を用いてn型III-V族化合物半導体のオーム性電極を形成する。

請求項（抜粋）：

金(Au)、シリコン(Si)及びニッケル(Ni)よりなる合金を用いて形成されたことを特徴とするn型III-V族化合物半導体のオーム性電極。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/43