特許
J-GLOBAL ID：200903037500700218
不揮発性半導体メモリ装置とそのワードライン駆動方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-147270
公開番号（公開出願番号）：特開平9-007383
出願日： 1996年06月10日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：
【要約】【課題】 マルチビット記憶の場合でも確実な読出動作を遂行できるようなNAND形不揮発性半導体メモリのワードライン駆動方法を提供する。【解決手段】 マルチビットのような微小差を感知する場合には、パス電圧で導通する非選択メモリセルのON抵抗による読出電圧Vreadの降下でソース電圧と基板バイアスとの差が各セルで微妙に違ってくるためのボディ効果が影響する。そこで、複数のワードライン電圧発生回路40A〜40Pをメモリストリング内のメモリセル数分設け、異なるセレクト電圧を発生して選択ワードラインへ提供する。読出選択セルがビットラインへ近いほど高いセレクト電圧を対応する選択ワードラインへ提供するようにし、しきい値電圧の変化分を補償する。
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルを直列接続してなるメモリストリングを備えたNAND形セル構造の不揮発性半導体メモリ装置におけるワードライン駆動方法において、読出選択されたメモリセルのビットラインからの距離に応じて異なるセレクト電圧を選択ワードラインに提供するようにしたことを特徴とするワードライン駆動方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11C 17/00 309 K
, G11C 11/34 301 A
, G11C 17/00 520 A
