特許
J-GLOBAL ID：200903037506629299
半導体装置とその製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-026708
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244225
出願日： 1993年02月16日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【構成】基板8の所定の個所に接着層3を介して固着された半導体素子1の電極とその周辺に配置された外部配線とが電気的に接続された半導体装置であって、前記接着層3は、所定の径を有する無機または有機の材料の球状粒子または棒状粒子からなるスペーサ9を含み、該スペーサの粒子径と同じ厚さに形成されている半導体装置。【効果】スペーサ9により接着層3の厚さを一定に高精度に制御したことによって接着層が均一な厚さとなり、半導体装置の耐ヒートサイクル性等の信頼性が向上する。
請求項（抜粋）：
基板の所定の個所に接着層を介して固着された半導体素子の電極とその周辺に配置された外部配線とが電気的に接続された半導体装置であって、前記接着層は所定の径を有する無機または有機の材料の球状粒子または棒状粒子からなるスペーサを含み、該スペーサの粒子径と同じ厚さに形成されていることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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