特許

J-GLOBAL ID：200903037514132352

強誘電体素子及び半導体記憶装置

発明者： 加藤 晃次
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-162680
公開番号（公開出願番号）：特開2000-004004
出願日： 1992年06月09日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：

【要約】【目的】 強誘電体が2つの電極によって挟まれた構造を有する強誘電体素子において、疲労特性と2つの電極間の絶縁耐圧を向上させる。【構成】 少なくとも一方の電極の周辺部分と、強誘電体膜との間に、常誘電体層を積層する。また、前記常誘電体層の厚みを、前記電極の周辺部分から中心部に向かって、連続的に小さくする。【効果】 電極周辺部での電界集中が緩和される。

請求項（抜粋）：

強誘電体を基質とする薄膜が2つの電極によって挟まれた構造を有する強誘電体素子において、前記電極のうち少なくとも一方の電極の、少なくとも周辺部分と前記強誘電体を基質とする薄膜との間に、常誘電体層を有することを特徴とする強誘電体素子。

IPC (8件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371