特許

J-GLOBAL ID：200903037516182055

半導体素子用高多端子化パッケージ

発明者： ラジェンドラ・ディ・ペンゼ
出願人/特許権者： ヒューレット・パッカード・カンパニー
代理人 (1件)： 古谷 馨 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-310856
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224246
出願日： 1993年12月10日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 従来のリードフレームの柔軟性と簡便性を保持したまま、600ピンまでのI/O接続端子を備え、放熱性と導電性を強化した表面実装型パッケージを提供する。【構成】 該パッケージは、多数のボンデイングパッドを備える集積回路ダイ34を入れる空胴のある導電基板22及び導電基板22上に積層されたフレキシブル回路4を含む。これには配線パターン28と、回路4の表面でパッド30上に形成されたバンプ8の領域アレイ18が含まれる。又、30下方で4を通る多数の開口32、33、接地や基板22への配線パターンのトレース11が含まれる。基板22への4の積層は、開口32、33、56を基板22へ入れた接地パッドの電気接続を容易にする導電接着剤24を使用する。

請求項（抜粋）：

金属体と、前記金属体に熱結合された集積回路ダイと、および前記金属体上に積層されたフレキシブル回路であって、少なくとも一つの誘電体層と、該誘電体層上に形成され、かつ前記集積回路ダイに接続された配線層と、該配線層の一部を前記金属体に電気的に接続するためにフレキシブル回路の少なくとも前記誘電体を通る少なくとも一つの開口を内蔵することを特徴とする該フレキシブル回路から構成される、金属リードレス集積回路パッケージ。

IPC (4件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/82 ,  H01L 23/14 ,  H01L 23/50

FI (2件)：

H01L 21/82 P ,  H01L 23/14 M