特許

J-GLOBAL ID：200903037520608580

化合物半導体素子の製造方法及び化合物半導体素子

発明者： リハルト ネーツェル ,  エヌ ニコライ レーデンツォ ,  エスシー ルッツ ダーベリッツ ,  クラウス プルーグ
出願人/特許権者： マツクス-プランク-ゲゼルシヤフト ツール フエルデルング デル ヴイツセンシヤフテン エー フアウ
代理人 (1件)： 二瓶 正敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-038528
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224121
出願日： 1992年01月29日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】【目的】 望ましい配列のステップを連続的に形成すること、超ステップについても、その高さ、均一性、および成長率を制御することにおける困難を克服し、とくに分子線エピタキシー法のような既知のエピタキシアル成長法によって比較的簡単に実行でき、また、比較的欠陥の少ない高品質の構造に仕上がるようなQWWまたはQD超格子構造の新しい直接製造法を提供する。【構成】 量子井戸線または量子点超格子構造から成る化合物半導体素子、さらに詳しくはレーザー、フォトダイオード、共鳴トンネル・トランジスタ、共鳴トンネル・ダイオード、遠赤外線検知素子、遠赤外線エミッタ、電子移動度トランジスタ、太陽電池、光変調素子、光双安定素子、およびバイポーラトランジスタによって構成される群から選択される素子を半導体基板上での超格子構造のエピタキシアル成長によって製造する方法において、エピタキシアル成長を{311}、{211}、{111}、および{110}基板上で行うことと、半導体素子の長さおよび/または幅を500 A 未満、また、とくに300 A 未満に制限する。

請求項（抜粋）：

量子井戸線または量子点超格子構造から成る化合物半導体素子、さらに詳しくはレーザー、フォトダイオード、共鳴トンネル・トランジスタ、共鳴トンネル・ダイオード、遠赤外線検知素子、遠赤外線エミッタ、電子移動度トランジスタ、太陽電池、光変調素子、光双安定素子、およびバイポーラトランジスタによって構成される群から選択される素子を半導体基板上での超格子構造のエピタキシアル成長によって製造する方法において、エピタキシアル成長を{311}、{211}、{111}、および{110}基板上で行うことと、半導体素子の長さおよび/または幅を 500 A 未満、また、とくに 300 A 未満に制限することを特徴とする化合物半導体素子の製造方法。

IPC (16件)：

H01L 21/20 ,  C30B 29/06 504 ,  C30B 29/08 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/363 ,  H01L 29/04 ,  H01L 29/66 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/804 ,  H01L 31/04 ,  H01L 31/0264 ,  H01L 31/10 ,  H01S 3/18 ,  C30B 23/08

FI (6件)：

H01L 29/80 B ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 A ,  H01L 31/04 E ,  H01L 31/08 L ,  H01L 31/10 A