特許

J-GLOBAL ID：200903037532362993

シリコン移動を減少させる金属窒化物膜処理方法

発明者： グレン ロイ ハワー ,  ダニエル デイビッド コステルニック ,  イー-チェン シー
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-343824
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279511
出願日： 1995年12月28日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、シリコン移動を減少させる金属窒化物膜の処理方法に関する。【構成】 前記バリアを通じるシリコン移動を減少させるため、集積回路上の金属窒化物バリア層の表面を処理する。すなわち、金属窒化物バリア(例えばTiN)は窒素プラズマに晒され、それにより金属窒化物バリアのバリア特性を改善するものである。

請求項（抜粋）：

集積回路であって、前記集積回路が、基板と、第一の金属の層と前記第一の金属層の上で接触する第一の金属の窒化物層を有するものを製造する方法であって、窒化物化した前記第一の金属層を窒素プラズマに暴露するステップを有することを特徴とする集積回路の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 C