特許
J-GLOBAL ID：200903037535214561
化合物半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-158325
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056204
出願日： 1988年07月21日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：
【要約】【課題】 青色発光素子では、発光効率が低いため、発光素子外部への取り出し効率を高めることが必要であった。【解決手段】 基板上に、少なくとも、発光層と前記発光層の下端面に接合して配設された第1の導電型の導電層と前記発光層の上端面に接合して配設された第2導電型の導電層とを有する化合物半導体発光素子であって、前記発光層及び第2導電型の導電層が、前記第1の導電型の導電層上に部分的に設けられることによって、前記第1導電型の導電層に露出部分を有し、前記第1導電型の導電層の露出部分に第1の電極が設けられ、前記第2の導電型の導電層の上方に設けられた第2の電極が前記第2導電型の導電層の端部位置に配置されることを特徴とする化合物半導体発光素子を提供する。
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくとも、発光層と前記発光層の下端面に接合して配設された第1導電型の導電層と前記発光層の上端面に接合して配設された第2導電型の導電層とを有する化合物半導体発光素子であって、前記発光層及び第2導電型の導電層が、前記第1導電型の導電層上に部分的に設けられることによって、前記第1導電型の導電層に露出部分を有し、前記第1導電型の導電層の露出部分に第1の電極が設けられ、前記第2導電型の導電層の上方に設けられた第2の電極が前記第2導電型の導電層の端部位置に配置されることを特徴とする化合物半導体発光素子。
引用特許：
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