薄膜形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本惠二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-082043
公開番号（公開出願番号）：特開平10-251840
出願日： 1997年03月13日
公開日（公表日）： 1998年09月22日
要約：

【要約】【課題】基材の尖鋭部の損傷を抑えると共に、面粗度および密着性の良好な薄膜を形成することができる方法を提供する。【解決手段】この薄膜形成方法は、ボンバード工程と、成膜工程と、焼鈍工程とを備えている。ボンバード工程では、処理容器2内において、アーク式蒸発源4から蒸発させる陰極物質8中に含まれている陰極物質イオンを、負バイアス電圧を印加した基材14に入射させることによって、基材表面の清浄化および基材14の450°C以下の加熱を行う。成膜工程では、ボンバード工程後の基材14の表面に、上記処理容器2内において上記アーク式蒸発源4を用いて、上記陰極物質イオンと反応性ガス22とが反応して成る化合物薄膜を形成する。焼鈍工程では、焼鈍容器26内において10Torr以上の不活性ガス雰囲気中で、成膜工程後の基材14をヒータ28によって700°C〜950°Cに加熱する。

請求項（抜粋）：

アーク放電によって陰極を溶解させて陰極物質を蒸発させるアーク式蒸発源を用いて、基材に負のバイアス電圧を印加した状態で、前記陰極物質中に含まれている陰極物質イオンを基材に入射させて、当該陰極物質イオンによる基材表面の清浄化および基材の450°C以下の加熱を行うボンバード工程と、前記アーク式蒸発源を用い、前記陰極物質イオンと反応する反応性ガス雰囲気中において、前記基材に0または負のバイアス電圧を印加した状態で、前記ボンバード工程後の基材の表面に、前記陰極物質イオンと前記反応性ガスとが反応して成る化合物薄膜を形成する成膜工程と、圧力が10Torr以上の不活性ガス雰囲気中において、加熱手段によって、前記成膜工程後の基材を700°C〜950°Cに加熱する焼鈍工程とを備えることを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (3件)：

C23C 14/24 , B23B 27/14 , C23C 14/58

FI (3件)：

C23C 14/24 F , B23B 27/14 A , C23C 14/58 A

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭62-010266
特開平4-276062
特開平3-032516

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