特許
J-GLOBAL ID：200903037545661256
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-020216
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218190
出願日： 1992年02月05日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】 (修正有)【構成】 半導体基板1に、溝を形成し、気相成長法により酸化膜2を堆積する工程と、熱酸化をする工程において、CVDの酸化膜2を溝形成後の基板表面に形成し、酸化処理することで、角がより酸化される。【効果】 この構成で、角の部分が他の部分より酸化速度が速いため角がより酸化され、電界集中の緩和が実現できる事で高信頼性のデバイスが実現できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板に、溝を形成し、溝内に絶縁物等を埋めて成る素子分離の形成方法において、1)溝形成後、気相成長法により酸化膜を堆積する工程と、2)熱酸化をする工程と、3)溝を絶縁物で埋めてなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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