特許

J-GLOBAL ID：200903037547008835

レジストパターンの形成方法

発明者： 吉野 宏
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-140465
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326153
出願日： 2000年05月12日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：

【要約】【課題】半導体装置のコンタクトホール形成用のレジストホールパターン形成における小径化技術を提供する。【解決手段】基板上に感光性のレジスト11を形成し、該レジストにホール密度の高いアレイ状レジストホール12a領域とホール密度の小さい孤立状レジストホール12b領域フォトリソグラフィ技術により形成した後、アレイ状レジストホール12a領域を紫外線照射により選択的に硬化して耐熱性を向上させ、次いで基板を加熱処理してレジスト11の孤立状レジストホール12b領域を熱フローさせ、該領域の孤立状レジストホール12bを選択的に小径化する。

請求項（抜粋）：

基板上にフォトレジストを形成し、該フォトレジストの第1および第2の領域にフォトリソグラフィ技術により、それぞれ第1および第2のホールを形成する工程と、前記フォトレジストの前記第1の領域をエネルギー線照射により選択的に硬化する工程と、前記基板を加熱処理して前記フォトレジストの前記第2の領域を熱フローさせ、前記第2の領域の前記第2のホールを選択的に小径化する工程とを含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/40 501 ,  G03F 7/40 511 ,  H01L 21/3065

FI (5件)：

G03F 7/40 501 ,  G03F 7/40 511 ,  H01L 21/30 571 ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/302 J

Fターム (20件)：

2H096AA25 ,  2H096BA10 ,  2H096BA20 ,  2H096EA02 ,  2H096EA04 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096GA08 ,  2H096HA01 ,  2H096HA05 ,  2H096JA04 ,  5F004BB04 ,  5F004BB05 ,  5F004CB14 ,  5F004EA21 ,  5F004EA25 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F046AA28 ,  5F046KA01