特許

J-GLOBAL ID：200903037547224996

半導体製造装置のランピング温度制御方法

発明者： 田中 和夫 ,  上野 正昭
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 守山 辰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-314708
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134886
出願日： 1995年11月08日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【目的】 ランピング温度制御における時間遅れを解消して目標温度を迅速且つ正確に達成する。【請求項1】 温度変化の設定値SVに従って半導体製造装置の温度制御を行うランピング温度制御方法において、設定値SVと半導体製造装置の実際の温度との偏差値αを予め求めておき、温度制御の目標値を超えない範囲(時刻t1’)内で、偏差値αを加えて補正した設定値SV’に従って温度制御を行い、設定値SVによって理論的に目標値が達成される時刻t1と実際の温度が目標値に達する時刻t2との間隔を極力短くする。

請求項（抜粋）：

温度変化の設定値に従って半導体製造装置の温度制御を行うランピング温度制御方法において、前記設定値と半導体製造装置の実際の温度との偏差値を予め求めておき、温度制御の目標値を超えない範囲内で、偏差値を加えて補正した設定値に従って温度制御を行うことを特徴とする半導体製造装置のランピング温度制御方法。

IPC (3件)：

H01L 21/22 511 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/22 511 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 B