半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-231827
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097367
出願日： 1994年09月27日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】基板に形成されたバイアホールの内側に、コンデンサなどの受動素子を形成することにより、半導体装置の面積を縮小して集積度を高めた半導体装置を提供する。【構成】バイアホール4の形成された半導体基板1の表面にICの導体金属層2a〜2eなどの構成要素が形成され、前記バイアホール4の内側に設けられ、かつ、前記表面の導体金属層2a〜2eと半導体基板1裏面の接地金属層7との間に接続されて機能回路を構成するコンデンサ、抵抗、インダクタなどの受動素子が形成されてなる半導体装置。

請求項（抜粋）：

バイアホールの形成された半導体基板の表面にICの導体金属層などの構成要素が形成され、前記バイアホールの内側に設けられ、かつ、前記表面の導体金属層と半導体基板裏面の接地金属層との間に接続されて機能回路を構成するコンデンサ、抵抗、インダクタなどの受動素子が形成されてなる半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 29/80 , H01L 27/095

FI (5件)：

H01L 27/04 L , H01L 27/04 C , H01L 27/04 P , H01L 29/80 V , H01L 29/80 E

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