特許

J-GLOBAL ID：200903037556824416

基板処理装置及び半導体製造方法

発明者： 鈴木 千典 ,  市村 悟 ,  吉野 晃生 ,  赤尾 徳信 ,  岡山 智彦 ,  筒口 和典 ,  中山 恭伸
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-055012
公開番号（公開出願番号）：特開2001-319885
出願日： 2001年02月28日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】 スループットを向上し、フットプリントが小さく、短時間に基板を加熱することができ、しかも基板面内温度偏差が小さくなるようにする。【解決手段】 ロードロック室13の上段に基板加熱用の加熱室47、下段に基板冷却用の冷却室48を設ける。加熱室47の上下にヒータ51、56を設ける。上下ヒータ51、56との間にシャワー板52を設ける。上ヒータ51とシャワー板52との間にガス加熱空間50を設ける。ガス加熱空間50にN2ガス導入部42を連通させ、N2ガスをガス加熱空間50に導入する。N2ガス導入部42から導入されるN2ガスは、ガス加熱空間50で加熱され、シャワー板52からシャワー状に基板Wに供給される。基板Wは上ヒータ51による放射伝熱を受けたN2ガス、加熱されたN2ガスによる対流伝熱、及び下ヒータ56による熱伝導で加熱される。

請求項（抜粋）：

基板を処理する基板処理室と、処理前の基板または処理済みの基板を収容する前室と、前記処理室又は前記前室に対して前記基板を搬送する搬送装置とを備え、前記前室に、前記基板を加熱するための加熱用不活性ガス、あるいは前記基板を冷却するための冷却用不活性ガスを供給する不活性ガス供給部を設けた基板処理装置。

IPC (8件)：

H01L 21/205 ,  B65G 49/06 ,  B65G 49/07 ,  C23C 14/02 ,  C23C 14/56 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/68

FI (8件)：

H01L 21/205 ,  B65G 49/06 A ,  B65G 49/07 C ,  C23C 14/02 B ,  C23C 14/56 G ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/44 F ,  H01L 21/68 A