特許

J-GLOBAL ID：200903037560016332

半導体装置

発明者： 佐々木 正一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-106967
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299515
出願日： 1992年04月24日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 配線幅の微細化に伴い、下層配線上の層間絶縁膜に設けた層間連絡孔が下層配線よりはみ出さないような半導体装置を提供する。【構成】 下層配線3の側面に自己整合的に側壁膜7を設け、層間絶縁膜4に設ける層間連絡孔6は、下層配線3と側壁膜7に跨って設けて、下層配線3からはみ出すのを防止する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けた下層配線と上層配線とを、層間絶縁膜に選択的に設けた層間連絡孔を介して接続してなる半導体装置であって、前記下層配線は、その側面に自己整合的な側壁膜を有することを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-224240
  
• 特開昭63-073537
  
• 特開昭63-110655
  
• 特開平2-058228