特許
J-GLOBAL ID：200903037572240920
薄膜バルク音波共振子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-213411
公開番号（公開出願番号）：特開2006-033748
出願日： 2004年07月21日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：
【課題】環境温度などの環境の変化に伴う特性の変動を抑制する薄膜バルク音波共振子(FBAR)を提供する。【解決手段】圧電材料を含む圧電層(2)と、圧電層(2)を介して積層された一対の電極層とを含む多層構造(51)が基板上に形成された薄膜バルク音波共振子(1)であって、多層構造(51)が負の熱膨張率を有する層A(7)をさらに含む。多層構造(51)における層A(7)を配置する位置は特に限定されないが、なかでも上記一対の電極間に層A(7)が配置されていることが好ましく、層A(7)が圧電層(2)と少なくとも一方の電極層との間に配置されることがより好ましい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
圧電材料を含む圧電層と、前記圧電層を介して積層された一対の電極層とを含む多層構造が基板上に形成された薄膜バルク音波共振子であって、
前記多層構造は、負の熱膨張率を有する層Aを含むことを特徴とする薄膜バルク音波共振子。
IPC (4件)：
H03H 9/17
, H01L 41/09
, H01L 41/187
, H01L 41/22
H03H9/17 F
, H01L41/08 J
, H01L41/18 101B
, H01L41/18 101D
, H01L41/22 Z
