特許
J-GLOBAL ID：200903037572684276
半導体基板、半導体装置、半導体発光装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-300441
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162715
出願日： 1994年12月05日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板、半導体装置、半導体発光装置とその製造方法に関し、これらの装置中に、半導体基板の面方向に層厚またはキャリア濃度が異なる半導体層を容易に形成する手段を提供する。【構成】 第1の面方位を有する第1の半導体基板1の上にエッチングストッパーとして用いるInGaAs層2を成長し、その上に成長基板の一部として用いるInP層3を成長し、この第1の半導体基板1に、第1の面方位とは異なる第2の面方位を有する第2の半導体基板4を重ねて錘5によって荷重をかけた状態でアニールして貼り合わせた後、第1の半導体基板1とInGaAs層2を交互にエッチング除去し、InP層3周辺に形成した有機レジスト7を用いてInP層3を部分的にエッチング除去して面方位が部分的に異なる成長基板を形成し、その上に部分的に層厚またはキャリア濃度が異なる半導体層を成長して半導体発光装置等の半導体装置を製造する。
請求項（抜粋）：
第1の面方位を有する第1の半導体基板上に、該第1の面方位とは異なる第2の面方位を有する第2の半導体基板を貼り合わせる工程と、該第1の半導体基板を部分的に除去する工程を含むことを特徴とする面方位が部分的に異なる半導体基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 21/02
, H01L 29/06
