ドライエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-017149
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217955
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の製造工程においてタングステンシリサイド層をエッチングする際のドライエッチング方法に関し、シリコン酸化膜のエッチングを抑制すると共にタングステンシリサイド層のアンダーカットの発生を防止し、更に環境破壊を防止する。【構成】タングステンシリサイド層13上にフォトレジスト14をパターン形成し、その後タングステンシリサイド層13を弗素以外のハロゲン元素(HBr、Cl2 )と酸素ガスとの混合ガス又は前記混合ガスにHeを添加した混合ガスを使用して、反応性イオンエッチングによりエッチングする。

請求項（抜粋）：

タングステンシリサイドを反応性イオンエッチングによりドライエッチングする方法において、エッチング用ガスとして、弗素元素以外のハロゲン元素を1種又は2種以上含むガスと酸素ガスとの混合ガスを使用することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 , H01L 21/3205

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭61-097826
特開平3-241829
特開昭62-029141

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