特許
J-GLOBAL ID:200903037592021656
光起電力素子及びその形成方法及びその形成装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
丸島 儀一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-013562
公開番号(公開出願番号):特開平6-232429
出願日: 1993年01月29日
公開日(公表日): 1994年08月19日
要約:
【要約】【目的】 高効率で低劣化の光起電力素子を大面積にバラツキやムラなく、高速かつ連続的に形成する。【構成】 RFにより第1導電型であるn型層(P型層)と、マイクロ波によるi型層と、RFによるi型層と、プラズマドーピングにより第1導電型と反対導電型である第2導電型P型層(n型層)とを有する光起電力素子。
請求項(抜粋):
第1導電型を有する第1半導体と、マイクロ波プラズマにより形成された第1i型半導体と、高周波プラズマにより形成された第2i型半導体と、第1導電型とは反対導電型を有する第2半導体と、を有し、前記第2半導体がプラズマドーピングによって形成されていることを特徴とする光起電力素子。
FI (2件):
H01L 31/04 B
, H01L 31/04 T
引用特許:
審査官引用 (5件)
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特開平3-177077
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特開平4-333289
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特開平4-299576
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特開平1-103829
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特開平3-273614
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