特許
J-GLOBAL ID:200903037594869083
半導体装置の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-317028
公開番号(公開出願番号):特開2004-153037
出願日: 2002年10月31日
公開日(公表日): 2004年05月27日
要約:
【課題】低温プロセスで熱酸化膜と比べて遜色のない膜質の酸化膜を形成する。【解決手段】半導体ウエハ2Wを構成する基板2Sの活性領域上の絶縁膜を除去した後、半導体ウエハ2Wの主面上に、例えば酸化シリコン膜からなる絶縁膜6aを減圧CVD法によって堆積する。この絶縁膜6aは後にMIS・FETのゲート絶縁膜を形成する膜である。続いて、その絶縁膜6aに対して矢印で模式的に示すように酸素を含む雰囲気中においてプラズマ処理を施す(酸素プラズマ処理)。これにより、CVD法で形成された絶縁膜6aを、熱酸化膜で形成された絶縁膜と同等程度の膜質に改善できる。【選択図】 図13
請求項(抜粋):
以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法:
(a)半導体基板上に、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸窒化シリコン膜の単体膜からなる絶縁膜、もしくはこれらの単体膜のうちの選択された2以上の膜の積層膜からなる絶縁膜を化学気相成長法により堆積する工程、
(b)前記絶縁膜に対して、酸素原子を含む雰囲気中においてプラズマ処理を施す工程。
IPC (14件):
H01L21/8234
, C23C16/42
, C23C16/56
, H01L21/316
, H01L21/318
, H01L21/768
, H01L21/8238
, H01L21/8247
, H01L27/088
, H01L27/092
, H01L27/10
, H01L27/115
, H01L29/788
, H01L29/792
FI (11件):
H01L27/08 102C
, C23C16/42
, C23C16/56
, H01L21/316 P
, H01L21/318 M
, H01L27/10 481
, H01L27/10 434
, H01L29/78 371
, H01L27/08 321D
, H01L27/08 102B
, H01L21/90 K
Fターム (115件):
4K030BA35
, 4K030BA40
, 4K030BA44
, 4K030BA48
, 4K030BB12
, 4K030BB13
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030FA01
, 4K030JA01
, 4K030JA06
, 4K030JA09
, 4K030LA02
, 4K030LA15
, 5F033HH08
, 5F033HH18
, 5F033HH33
, 5F033JJ18
, 5F033JJ19
, 5F033JJ33
, 5F033KK08
, 5F033KK18
, 5F033KK33
, 5F033MM08
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033QQ00
, 5F033QQ25
, 5F033QQ37
, 5F033RR04
, 5F033RR22
, 5F033SS13
, 5F033WW05
, 5F033XX15
, 5F048AA05
, 5F048AA07
, 5F048AB01
, 5F048AC01
, 5F048AC03
, 5F048AC06
, 5F048AC10
, 5F048BB05
, 5F048BB08
, 5F048BB11
, 5F048BB13
, 5F048BB16
, 5F048BB17
, 5F048BB19
, 5F048BC01
, 5F048BC03
, 5F048BC06
, 5F048BD04
, 5F048BE03
, 5F048BF03
, 5F048BF12
, 5F048BF15
, 5F048BF16
, 5F048DA25
, 5F048DA30
, 5F058BA01
, 5F058BD01
, 5F058BD02
, 5F058BD04
, 5F058BD10
, 5F058BF02
, 5F058BF73
, 5F058BJ01
, 5F083EP03
, 5F083EP18
, 5F083EP24
, 5F083EP35
, 5F083EP55
, 5F083EP79
, 5F083ER02
, 5F083ER11
, 5F083ER17
, 5F083ER19
, 5F083ER22
, 5F083ER30
, 5F083GA05
, 5F083JA04
, 5F083JA19
, 5F083JA35
, 5F083MA06
, 5F083MA19
, 5F083MA20
, 5F083NA01
, 5F083PR05
, 5F083PR12
, 5F083PR21
, 5F083PR36
, 5F083PR43
, 5F083PR44
, 5F083PR46
, 5F083PR53
, 5F083PR54
, 5F083PR56
, 5F101BA12
, 5F101BA29
, 5F101BA36
, 5F101BA45
, 5F101BA54
, 5F101BB04
, 5F101BC11
, 5F101BD10
, 5F101BD22
, 5F101BD34
, 5F101BE02
, 5F101BE05
, 5F101BE06
, 5F101BH02
, 5F101BH03
, 5F101BH09
, 5F101BH13
, 5F101BH21
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