特許

J-GLOBAL ID：200903037597051863

結晶化度が改善された歪シリコン層を有する歪シリコンオンインシュレータ(SSOI)構造

発明者： マイケル・アール・シークリスト ,  ル・フェイ
出願人/特許権者： エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 鮫島 睦 ,  田村 恭生
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-525202
公開番号（公開出願番号）：特表2009-503907
出願日： 2006年08月01日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：

本発明は、一般に歪シリコンオンインシュレータ(SSOI)構造とその製造方法に関するものである。この方法は、歪シリコン層の歪を維持しつつその結晶化度を改善するための高温熱アニールを含む。

請求項（抜粋）：

ハンドルウエハと、歪シリコン層と、前記ハンドルウエハと前記歪シリコン層との間の誘電体層とを備える歪シリコンオンインシュレータ構造の製造方法であって、前記歪シリコン層が前記ハンドルウエハの結晶化度と約10%未満だけ異なる結晶化度を有するように前記歪シリコンオンインシュレータ構造を所定の温度にて所定の時間でアニールすることを含んでなる、歪シリコンオンインシュレータ構造の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/324

FI (3件)：

H01L27/12 B ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 X

Fターム (19件)：

5F152LL02 ,  5F152LL03 ,  5F152LL09 ,  5F152LM09 ,  5F152LN08 ,  5F152LN22 ,  5F152LP01 ,  5F152LP07 ,  5F152LP09 ,  5F152MM04 ,  5F152MM19 ,  5F152NN03 ,  5F152NN04 ,  5F152NP04 ,  5F152NP12 ,  5F152NP13 ,  5F152NP14 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ11

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 米国特許第5,436,175号
  
• 米国特許出願公開第2004/0005740号
  
• 米国特許第6,790,747号