半導体デバイス作製用インク、及びそれを用いた半導体デバイスの作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-033079
公開番号（公開出願番号）：特開2005-328030
出願日： 2005年02月09日
公開日（公表日）： 2005年11月24日
要約：

【課題】有機半導体層を有する半導体デバイスにおいて、半導体特性の優れた半導体デバイス、特に、閾値電圧、及びOn/Off比の優れた電界効果トランジスタ、を与えることができる半導体デバイス作製用インク、及びそれを用いた半導体デバイスの作製方法を提供する。【解決手段】ポルフィリン化合物の濃度が0.1重量%以上である溶液を基本成分とし、表面張力が10〜60mN/m、粘度が1〜50mPa・s、沸点が75〜250°Cである半導体デバイス作製用インク、及び、該半導体デバイス作製用インクを半導体層被形成面上に塗布し乾燥させることにより、半導体層を形成する半導体デバイスの作製方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(Ia)又は(Ib)で表されるポルフィリン化合物の濃度が0.1重量%以上である溶液を基本成分とし、表面張力が10〜10mN/m、粘度が1.0〜50mPa・s、沸点が75〜250°Cであることを特徴とする半導体デバイス作製用インク。

IPC (10件)：

H01L21/368 , C09D11/02 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/786 , H01L29/80 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L51/00

FI (9件)：

H01L21/368 L , C09D11/02 , H01L29/06 601N , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L29/28 , H01L29/80 V , H01L29/91 G , H01L29/48 D

Fターム (83件)：

4H048AA03 , 4H048AB76 , 4H048VA56 , 4H048VB10 , 4J039BC03 , 4J039BC16 , 4J039BC20 , 4J039BC59 , 4J039BE02 , 4J039FA02 , 4J039FA06 , 4J039GA10 , 4J039GA16 , 4J039GA24 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104GG03 , 5F053AA03 , 5F053AA06 , 5F053AA50 , 5F053DD19 , 5F053FF01 , 5F053HH10 , 5F053LL10 , 5F053RR05 , 5F053RR13 , 5F102FB01 , 5F102GB04 , 5F102GC08 , 5F102GD10 , 5F110AA05 , 5F110AA08 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF22 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK10 , 5F110HK11 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN36 , 5F110QQ06

引用特許：

出願人引用 (1件)

有機半導体材料及び有機電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-084816 出願人：三菱化学株式会社

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