特許

J-GLOBAL ID：200903037603706630

チツプ型バリスタの製造方法

発明者： 中村 和敬 ,  東 亨 ,  米田 康信 ,  久保田 浩幸 ,  後 外茂昭
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 下市 努
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-237179
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055007
出願日： 1991年08月23日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】 積層体を高温焼成して焼結体を得る際の、焼成温度や雰囲気を均一化して、電気的特性のばらつきを防止するとともに、良品率を向上できるチップ型バリスタの製造方法を提供する。【構成】 半導体セラミックス層2と内部電極3とを交互に積層して積層体4 ́を形成した後、該積層体4 ́を高温焼成して焼結体4を形成することによってチップ型バリスタ1を製造する場合、上記積層体4 ́を磁性体容器内に収容し、該容器を回転させながら高温焼成する。また上記磁性体容器内に空気,又は酸素を供給する。さらに上記積層体の角部に面取り部を形成するとともに、該面取り部の半径を0.08mm以上にする。

請求項（抜粋）：

半導体セラミックス層と内部電極とを交互に積層して積層体を形成した後、該積層体を高温焼成して焼結体を得るようにしたチップ型バリスタの製造方法において、上記積層体を磁性体容器内に収容し、該容器を回転させながら高温焼成したことを特徴とするチップ型バリスタの製造方法。