特許
J-GLOBAL ID：200903037604918231
半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-281910
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102136
出願日： 1991年10月03日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 LOCOS法で形成される素子分離に生ずるバ-ズビ-クを防止した新しい半導体集積回路装置の製造方法を提供する。【構成】 シリコン半導体基板1には、Nウエル11とPウエル12が形成されている。その表面上に熱酸化膜13が形成されている。素子分離絶縁膜としてこの熱酸化膜13の上に弗酸の過飽和溶液から成長させたSiO2 膜であるLPD膜15を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の素子領域をマスクで被覆する工程と、前記半導体基板に、弗酸の二酸化シリコン過飽和溶液から析出するSiO2膜を液相成長させる工程と、前記マスクを除去して、前記SiO2 膜を前記半導体基板の素子分離領域に残存させる工程とを備えていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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