特許
J-GLOBAL ID：200903037607814887
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-256964
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076297
出願日： 2000年08月28日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】 従来の構造を大幅に変更することなくキャパシタ容量を増大させ、かつ、キャパシタ電極と半導体基板との間の抵抗値を下げ、電気的に信頼性の高い半導体装置を得る。【解決手段】 各絶縁層に形成され互いに連通するとともに、少なくともその連結部において開口径が異なる開口部を有し、この開口部の表面を延在し沿うようにして形成されたキャパシタ電極を備える。
請求項（抜粋）：
キャパシタを有する半導体装置であって、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された多層絶縁層と、前記各絶縁層に互いに連通して形成されるとともに、少なくとも、その各連結部において開口径が異なる開口部と、前記半導体基板に接する最下層絶縁層の開口部の一部又は略全部に形成され、前記半導体基板に電気的に接続された導電層と、前記各絶縁層に形成された開口部の表面および前記導電層上に延在して形成されたキャパシタ下部電極と、前記下部電極上にキャパシタ絶縁膜を介して形成されたキャパシタ上部電極とを備えた半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
5F083AD24
, 5F083AD31
, 5F083AD48
, 5F083JA56
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083PR03
