特許
J-GLOBAL ID：200903037608409625
半導体不揮発性記憶素子とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-307776
公開番号（公開出願番号）：特開平5-145078
出願日： 1991年11月22日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：
【要約】【目的】 トップ酸化膜の形成プロセスを低温化し、また、窒化膜とトップ酸化膜との界面に発生するトラップ密度を増加させ良好な半導体不揮発性記憶素子とその製造方法を提供する。【構成】 この素子は、ドレイン105とソース103の間ののチャネル領域上に、トンネル酸化膜140,窒化膜130,トップ酸化膜120が設けられたMONOS構造の素子である。窒化膜130とトップ酸化膜120の間には遷移層200が設けられ、この点に特徴を有している。比較的低温のプロセスで製造されているため、チャネル領域などは良好なプロファイルが保たれている。遷移層200は、トラップ密度が大きなSi過剰の窒化膜で構成され、トップ酸化膜120との界面近傍ではSiONとなっている。
請求項（抜粋）：
基板のチャネル領域とゲート電極との間にトンネル酸化膜,窒化膜,トップ酸化膜を有するMONOS構造の半導体不揮発性記憶素子であって、前記窒化膜の前記トップ酸化膜との界面近傍に化学量論的に前記窒化膜よりもSiが豊富な部分を持つ遷移層を備えたことを特徴とする半導体不揮発性記憶素子。
IPC (2件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
