特許
J-GLOBAL ID：200903037611630790
GaAsウエハの研磨方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-200861
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064560
出願日： 1994年08月25日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】ウエハ面取り部の粗さを小にして、ウエハの欠けが少ないGaAsウエハの研磨方法を提供する。【構成】ウエハ1の表面を鏡面に仕上げるため両面研磨するGaAsウエハの研磨方法において、前記GaAsウエハ1を、両面研磨前に硫酸系エッチヤントによりエッチングすることを特徴とするものである。この結果、硫酸系エッチングを施したので、両面研磨中に欠けの発生しやすいウエハ面取り部分の粗さを小さくし、研磨力の集中を緩和させるものである。
請求項（抜粋）：
ウエハ表面を鏡面に仕上げるため両面研磨するGaAsウエハの研磨方法において、前記GaAsウエハを、前記両面研磨前に硫酸系エッチヤントによりエッチングすることを特徴とするGaAsウエハの研磨方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 321
, B24B 37/00
, B24B 37/04
