特許
J-GLOBAL ID：200903037613696098
3軸加速度センサの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-190869
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045937
出願日： 1995年07月26日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：
【要約】【課題】 3軸加速度センサの歩留り向上を図る。【解決手段】 単結晶シリコン層13上にシリコン酸化膜20を形成し、単結晶シリコン層20の表面領域のうち、たわみ部15と重り部14の接合面となる領域周辺の所定領域のみにシリコン酸化膜20を残し、シリコン酸化膜20上に多結晶シリコン層19、その他の表面領域上に単結晶シリコンをエピタキシャル成長させ、その層にピエゾ抵抗層16を形成し、裏面からシリコン酸化膜20に到達するまで単結晶シリコン層13をエッチングし、単結晶シリコン層13の裏面側に露出したシリコン酸化膜20をエッチング除去する。
請求項（抜粋）：
略薄膜状のたわみ部と、そのたわみ部の一方の面に接合された重り部とを備えた3軸加速度センサの製造方法であって、その一部が重り部となる単結晶シリコン層の表面にシリコン酸化膜を形成する工程と、前記単結晶シリコン層の表面領域のうち、前記たわみ部と前記重り部の接合面となる領域周辺の所定領域のみに前記シリコン酸化膜が残るように、前記シリコン酸化膜をエッチング除去する工程と、エピタキシャル成長によって、前記シリコン酸化膜上に多結晶シリコン層を形成すると共に、前記多結晶シリコン層が形成されている領域以外の表面領域に単結晶シリコンのエピタキシャル成長層を形成する工程と、そのエピタキシャル成長層にピエゾ抵抗層を形成する工程と、異方性エッチングにより前記単結晶シリコン層の裏面側から前記シリコン酸化膜に到達するまで前記単結晶シリコン層をエッチング除去する工程と、前記単結晶シリコン層の裏面側に露出した前記シリコン酸化膜をフッ酸でエッチング除去する工程とを備えたことを特徴とする3軸加速度センサの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/84
, G01P 15/12
, H01L 21/306
H01L 29/84 B
, G01P 15/12
, H01L 21/306 B
