特許
J-GLOBAL ID：200903037614728139
微小トンネル接合超伝導トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-001421
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211948
出願日： 1994年01月12日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】ソース領域およびドレイン領域と微小トンネル接合で形成される中央部領域上のゲート層に電圧を印加してソース・ドレイン間電流を制御する超伝導トランジスタを、残留電荷にバイアス電圧が依存せず、かつ高速で動作するようにする。【構成】中央部領域の超伝導体あるいは半導体との間にショットキー障壁をゲート層を設けることにより、ドレイン・ソース間に印加するバイアス電圧が素子間で差がなくなり、一定バイアスで動作するようになる。また、応答速度も速くなる。
請求項（抜粋）：
超伝導体よりなる中央部領域をはさんで絶縁層を介して基板上に配置されたソース領域およびドレイン領域と中央部領域とがそれぞれ微小トンネル接合で結合され、中央部領域の上に積層されたゲート層と中央部領域との間にショットキー障壁が形成されたことを特徴とする微小トンネル接合超伝導トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 39/22 ZAA
, H01L 29/06
, H01L 29/68
