特許

J-GLOBAL ID：200903037614935541

超伝導体厚膜の製造方法

発明者： 立 川 勉 ,  金 高 祐 仁 ,  太 田 昭 男
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-230570
公開番号（公開出願番号）：特開2000-063120
出願日： 1998年08月17日
公開日（公表日）： 2000年02月29日
要約：

【要約】【課題】 粒子配向性と表面状態が良好で、表面抵抗が小さい超伝導体厚膜を得ることができる、超伝導体厚膜の製造方法を得る。【解決手段】 基板50上に、超伝導体材料を含む厚膜層52を形成して焼成する。厚膜層52上に、剥離剤を塗布したシート56を挟んで、治具板54を配置する。この状態で、冷間静水圧プレス加工によって加圧し、その後再度焼成する。その後、必要に応じて、冷間静水圧プレス加工と焼成とを繰り返す。

請求項（抜粋）：

基板上に超伝導体材料を含む厚膜層を形成する工程、前記基板上に形成した前記厚膜層を焼成する工程、前記焼成済厚膜層に冷間静水圧プレス加工を行う工程、および前記冷間静水圧プレス加工を行った厚膜層を再度焼成する工程を含む、超伝導体厚膜の製造方法。

IPC (3件)：

C01G 29/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  H01P 7/10

FI (3件)：

C01G 29/00 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  H01P 7/10

Fターム (18件)：

4G047JA03 ,  4G047JC10 ,  4G047KB04 ,  4G047KD04 ,  4G048AA05 ,  4G048AB01 ,  4G048AB05 ,  4G048AC02 ,  4G048AC04 ,  4G048AD02 ,  4G048AD06 ,  5J006HC03 ,  5J006HC12 ,  5J006HC13 ,  5J006LA02 ,  5J006LA25 ,  5J006NA01 ,  5J006PA01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-258665