特許
J-GLOBAL ID：200903037616795950
積層膜及び磁気素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-077090
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270245
出願日： 1997年03月28日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】半導体若しくは半金属特性を示す非磁性膜と磁性膜との積層構造を実現することを目的とする。【解決手段】本発明は、B20結晶構造を有するM1-xSi(0.5<x<1.0、M:Fe,Co,Ni,Cr及びMnの少なくとも一種)の組成を有する非磁性膜を磁性膜上に有することを特徴とする積層膜である。
請求項（抜粋）：
B20結晶構造を有するM<SB>1-x</SB> Si(0.5≦x<1.0、M:Fe,Co,Ni,Cr及びMnの少なくとも一種)の組成を有する非磁性膜を磁性膜上に有することを特徴とする積層膜。
IPC (3件)：
H01F 10/12
, H01L 43/08
, H01L 43/10
H01F 10/12
, H01L 43/08 Z
, H01L 43/10
