化学蒸着によりウェハ上にエピタキシャル層を成長させる装置および方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：奥山尚一 , 有原幸一 , 松島鉄男
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-562804
公開番号（公開出願番号）：特表2004-525056
出願日： 2001年08月21日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：

本発明では、固体基板上のCVDリアクタとそのウェハ上にエピタキシャル層を蒸着させる方法とを述べる。本発明のリアクタでは、ウェハ・キャリヤ110は、装着位置Lと蒸着位置Dの間を移動する。蒸着位置では、ウェハ・キャリヤは、中間サセプタを必要とせずに、回転式スピンドル120の上端に取り外し可能に取り付けられる。本発明のリアクタは、単一ウェハまたは同時に複数のウェハを処理できる。本発明は、いくつかの実施形態および本発明の変形形態も述べる。本発明の1つの変形形態では、スピントル500を通るウェハ支持アセンブリの熱放散の低減と、そのための新規の加熱機構とを提供する。本発明の利点には、特に、リアクタ・サイクルの低減と、構成部品の低コストおよび長寿命と、高精度の温度制御とが挙げられる。

請求項（抜粋）：

反応チャンバと、該反応チャンバ内部に置かれる上端を有する回転スピンドルと、 1以上のウェハを支持し、移動するウェハ・キャリヤであって、該ウェハ・キャリヤが前記スピンドルの上端の中心に取り外し可能に取り付けられ、少なくとも蒸着の間はそれに接触しており、さらに前記スピンドルの前記上端から前記ウェハ・キャリヤを容易に取り外して、前記ウェハ・キャリヤを移動して前記1以上のウェハを装着または取り外しできるものであるウェハ・キャリヤと、該ウェハ・キャリヤに下に配置された、前記ウェハ・キャリヤを加熱するための放射加熱エレメントとを含んでなる、化学蒸着法により1以上のウェハ上にエピタキシャル層を成長させるための縦型装置。

IPC (3件)：

C30B15/12 , C23C16/44 , H01L21/205

FI (3件)：

C30B15/12 , C23C16/44 F , H01L21/205

Fターム (24件)：

4G077AA03 , 4G077DB01 , 4G077EG03 , 4G077EG13 , 4G077EG14 , 4G077EG16 , 4G077HA12 , 4G077TE01 , 4G077TE05 , 4G077TE08 , 4G077TF02 , 4G077TF04 , 4G077TF06 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030GA06 , 4K030GA12 , 4K030KA23 , 5F045AA03 , 5F045DP15 , 5F045DP27 , 5F045DQ10 , 5F045EM02

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