特許
J-GLOBAL ID：200903037630187580
半導体と基板との接合方法及び装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-159777
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029362
出願日： 1991年06月03日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 半導体の活性面がその上にある部分と接触することなく半導体と基板とを加圧により接合させる。【構成】 化学的に不活性の非固体媒体により半導体3と基板1との接合又は後処理に必要な圧を半導体表面Oに加える。
請求項（抜粋）：
半導体と基板とを加圧により接合する方法において、接合に必要とされるプレス圧を化学的に不活性で非固体の媒体により加えることを特徴とする半導体と基板との接合方法。
IPC (3件)：
H01L 21/52
, B23K 31/02
, H01L 21/603
